下列關於磊晶成長的說明，何者正確？

正確答案：A. 在單晶基板上，使其晶向與基板一致，成長出單晶薄膜

磊晶成長時，原子會承襲基板的晶體排列堆疊上去，形成與基板具有相同晶向的單晶膜。由於可與基板無關地選擇雜質濃度與材料，並能做出缺陷比CZ晶圓更少的層，因此被用於功率元件的低濃度漂移層、CMOS影像感測器用的基板、電晶體源極・汲極的SiGe，以及LED與雷射的多層結構等。