磊晶成長
成長於藍寶石基板上的GaN中，貫穿至膜表面的貫穿差排密度，其參考值最接近下列何者？
- A約10²⁰ cm⁻²
- B約10¹～10² cm⁻²
- C約10⁸～10⁹ cm⁻²
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正確答案：C. 約10⁸～10⁹ cm⁻²
藍寶石與GaN的晶格常數相差約16%，因此藍寶石上的GaN含有10⁸～10⁹ cm⁻²左右的高密度貫穿差排。這個量對矽LSI而言是致命的，但InGaN系LED卻能高效率發光。據推測，這是因為InGaN層的組成起伏使載子被局部侷限，在到達差排之前就已複合。另一方面，雷射與功率元件則需要降低差排。
- A. 約10²⁰ cm⁻²接近原子的密度，無法構成晶體。
- B. 約10¹～10² cm⁻²是接近無差排的極高品質晶體的數值。
- C. 正確。是10⁸～10⁹ cm⁻²左右的高密度。