磊晶成長

在存在晶格失配的系統中,最初的數個原子層以層狀成長,應變累積後轉變為島狀成長的成長模式為下列何者?此模式也被利用於量子點的製作。

  1. A弗蘭克-范德默韋(Frank–van der Merwe)型
  2. B福爾默-韋伯(Volmer–Weber)型
  3. C斯特蘭斯基-克拉斯塔諾夫(Stranski–Krastanov)型
查看答案與解析

正確答案:C. 斯特蘭斯基-克拉斯塔諾夫(Stranski–Krastanov)型

在斯特蘭斯基-克拉斯塔諾夫(SK)型中,最初會以層狀成長出1~2個原子層的薄潤濕層,當應變能變大後,即使表面積增加,形成島來釋放應變反而更有利,因此切換為島狀成長。由於會自然形成大小整齊的直徑數十nm的島,可作為量子點利用,InAs/GaAs系的量子點雷射已作為耐溫度變化的光通訊用光源而實用化。

  • A. 弗蘭克-范德默韋型是一直到最後都逐層以層狀成長的模式。
  • B. 福爾默-韋伯型是從一開始就以島狀成長的模式。
  • C. 正確。是由層狀切換為島狀的成長模式。
練習這個領域 前往領域頁面

磊晶成長的其他題目

  1. 在有埋層等圖案的基板上磊晶成長矽時,表面出現的階差位置偏離下方圖案,或形狀發生扭曲的現象稱為什麼?
  2. 在nMOS的源極・汲極中,以磊晶成長方式嵌入在矽中加入少量碳的Si:C,其主要目的為下列何者?
  3. 在以石墨烯等二維材料覆蓋的基板上成長晶體,並將成長的膜從基板剝離,使基板得以重複使用,這種處於研究階段的技術為下列何者?
  4. 在GaN HEMT用的磊晶結構中,於通道下方的GaN緩衝層添加碳或鐵,其主要目的為下列何者?
  5. 將GaAs這類具有極性的化合物半導體成長於非極性的矽基板上時,容易產生的、晶體中Ga與As排列反轉的區域之邊界,稱為什麼?