磊晶成長
SiC磊晶成長（CVD）的一般成長溫度最接近下列何者？
- A約600℃
- B約1,000℃
- C約1,500～1,650℃
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正確答案：C. 約1,500～1,650℃
SiC的鍵結強，表面原子不易移動，因此要得到良質的磊晶層，需要約1,500～1,650 ℃，比矽高出約500 ℃的溫度。原料使用矽烷或三氯矽烷，以及丙烷等碳氫化合物，並以C與Si的比例控制雜質的納入。為了耐受此溫度，反應爐的零件使用塗有SiC或TaC的石墨。
- A. 約600℃無法成長出良質的SiC單晶。
- B. 約1,000℃是接近矽磊晶成長的溫度。
- C. 正確。在1,500～1,650℃左右的高溫下成長。