在MBE中，以淺角度將電子束照射到成長中的表面，並由其繞射圖樣即時觀察成長情形的手法為下列何者？

正確答案：B. RHEED（反射式高能電子繞射）

RHEED是以1～3°左右的掠射角，將10～30 keV的電子束照射到成長中的表面，並以螢光屏觀察繞射圖樣的手法。可得知表面的平坦程度與重構結構，且每成長一個原子層，表面的凹凸就會週期性變化而使強度振盪，因此能即時計算已成長的層數。這是電子束不會被氣體分子散射的超高真空MBE才有的觀察方法。