將GaAs這類具有極性的化合物半導體成長於非極性的矽基板上時，容易產生的、晶體中Ga與As排列反轉的區域之邊界，稱為什麼？

正確答案：A. 反相邊界（APB）

將GaAs這類具有極性的化合物成長於非極性的矽上時，表面1個原子層階差的兩側會成長出Ga與As位置互換的區域，其邊界便形成反相邊界（APB）。APB中存在Ga-Ga或As-As的錯誤鍵結，成為電性缺陷。對策包括將具有偏角的基板熱處理，使其對齊為2個原子層的階差，以及在溝槽中成長以將APB侷限住等。

• A. 正確。是原子排列反轉之區域的邊界。
• B. 雙晶邊界是呈鏡面對稱關係的晶體之間的邊界。
• C. 晶界是晶體方向不同的晶粒之間的邊界。