在nMOS的源極・汲極中，以磊晶成長方式嵌入在矽中加入少量碳的Si:C，其主要目的為下列何者？

正確答案：C. 以晶格常數較小的Si:C對通道施加拉伸應變，提高電子遷移率

碳原子比矽小，因此加入1～2%碳的Si:C，其晶格常數比矽小。將它嵌入nMOS的源極・汲極後，中間的通道會被拉伸而產生拉伸應變，使電子遷移率提高。不過碳不易進入晶格位置，且在高溫下容易逸出，因此實用上受到限制，現在以含高濃度磷的SiP磊晶層為主流。pMOS則相反，使用SiGe。

• A. 目的不是降低閘極電容。
• B. 以壓縮應變提高電洞遷移率，是pMOS中SiGe的角色。
• C. 正確。以拉伸應變提高電子遷移率。