在磊晶成長過程中通入摻雜氣體，於成長的同時添加雜質，稱為什麼？

正確答案：A. 原位摻雜

原位摻雜是在成長的同時通入摻雜氣體（磷化氫、乙硼烷等）使雜質被納入，因此不需要像離子佈植那樣的晶體損傷與為了活化而進行的高溫退火。藉由切換氣體流量，可在深度方向做出精密的濃度分布，也能提高活化率。在先進電晶體源極・汲極的SiGe:B或Si:P磊晶層中，已實現10²¹ cm⁻³等級的高濃度。