在雙極性電晶體等元件中，於磊晶層下方設置高濃度層（埋層）的主要目的為下列何者？

正確答案：A. 為了降低集極的串聯電阻

在垂直型雙極性電晶體中，集極電流會在磊晶層底部橫向流動，朝表面的集極電極前進。若在磊晶成長前於基板以砷或銻預先形成並埋入高濃度的n⁺層，這條路徑的電阻就會下降，電晶體的飽和電壓與高頻特性也會獲得改善。使用不易擴散的砷或銻，可抑制磊晶成長中因熱而向上滲出的量。

• A. 正確。是為了降低集極電阻的高濃度層。
• B. 與基極的厚度無關。
• C. 磊晶層的電阻率由成長時的摻雜決定。