成長的薄膜與基板的晶體原子間隔(晶格常數)不同。差異大時會產生應變或差排等缺陷。
日文名稱: 格子不整合
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 選擇性磊晶成長 錯配差排
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