SEMとTEMの違い:電子顕微鏡の使い分けを比較

どちらの顕微鏡も、光の代わりに電子のビームを使いますが、試料の見方が違います。走査電子顕微鏡(SEM)は、絞った電子ビームで表面をなぞり、戻ってくる電子から像を作るので、表面の形がわかります。透過電子顕微鏡(TEM)は、非常に薄くした試料に電子を通すので、構造の内部を、原子1つ1つが見えるレベルまで観察できます。SEMは速くて簡単で、TEMははるかに高性能ですが、時間も手間もかかります。

項目SEMTEM
原理絞ったビームで表面を走査し、二次電子や反射電子から像を作る非常に薄い試料に電子を通し、透過した電子や回折した電子から像を作る
わかること表面の形と、組成によるコントラスト内部の構造、結晶格子、原子レベルの界面
分解能最高で約1 nm。通常は数nm以上0.1 nm未満。原子1つ1つが見える
試料の準備少ない。バルクの試料を使える(絶縁物には導電性のコーティングが必要)非常に大変。試料を約100 nmより薄くする必要があり、集束イオンビーム(FIB)で切り出すことが多い
ビームのエネルギー約0.5〜30 kV約80〜300 kV
速度速い。1試料あたり数分遅い。試料の準備を含めて数時間
コスト低め高い
主な用途線幅の測定(CD-SEM)、欠陥のレビュー、デバイスの断面の観察ゲート酸化膜の厚さ、薄膜の積層、結晶の欠陥、界面の構造

数値は代表的な目安で、世代や製品によって異なります。

どんなときに使うか

SEM
日常的な検査や測定で、速さが重要なとき。パターンの確認や欠陥の発見など。
TEM
構造の内部を原子のスケールで見たいとき。数原子の厚さしかないゲート絶縁膜の厚さなど。
組み合わせ
不良解析では、SEMとFIBで問題の箇所を見つけて露出させ、そこから薄い断片を切り出して、TEMで観察します。

よくある質問

SEMとTEMでは、どちらの分解能が高いですか?

TEMです。0.1 nm未満まで見分けられ、原子1つ1つが見えます。SEMは、最高でも約1 nmです。

なぜTEMの試料はそんなに薄くする必要があるのですか?

電子が試料を通り抜ける必要があるので、約100 nmより薄くしなければなりません。集束イオンビームなどで準備するのに、数時間かかります。

CD-SEMは何を測りますか?

ウェハ上のパターンの線幅や穴の大きさを測る、寸法測定用のSEMです。リソグラフィやエッチングの工程管理に欠かせません。

なぜ絶縁物の試料はSEMの前にコーティングするのですか?

絶縁物は、電子ビームで電荷がたまり、像が歪むからです。薄い導電性のコーティングや、低い電圧での観察で防ぎます。

理解度チェック

走査電子顕微鏡(SEM)の原理として正しいものはどれか。

  1. A細く絞った電子線を試料表面で走査し、発生する二次電子などを検出して表面の形状を観察する
  2. BX線の回折から結晶構造を調べる
  3. C光の干渉から膜厚を測る
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正解:A. 細く絞った電子線を試料表面で走査し、発生する二次電子などを検出して表面の形状を観察する

SEMは、細く絞った電子線を試料の表面で走査し、そこから出る二次電子や反射電子を検出して像をつくります。エネルギーの低い二次電子は表面のごく浅い所からしか出られないため凹凸をよく表し、反射電子は重い元素ほど多く出て組成の違いを表します。分解能は1 nm前後です。工場では、低い加速電圧でパターンの線幅を測るCD-SEMが工程管理に使われます。X線回折や光の干渉は別の手法です。

透過電子顕微鏡(TEM)で試料を観察するために必要な前処理として正しいものはどれか。

  1. A試料を数cmの厚さに積層する
  2. B電子線が透過できるよう、試料を100 nm程度以下まで薄く加工する
  3. C試料を液体に溶かす
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正解:B. 電子線が透過できるよう、試料を100 nm程度以下まで薄く加工する

TEMは試料を透過した電子で像をつくるため、電子線が通り抜けられるよう、試料を100 nm程度以下まで薄くする必要があります。半導体デバイスでは、FIBで観察したい場所の周りを削り、薄片を取り出して仕上げるリフトアウト法がよく使われます。収差を補正したTEMでは0.1 nm以下の分解能で原子の並びまで見えます。厚く積層したり液体に溶かしたりすると、電子は透過できません。

SEMやTEMと組み合わせて使われるEDX(エネルギー分散型X線分光)で分かることはどれか。

  1. A表面の粗さ
  2. B試料に含まれる元素の種類と量
  3. C膜の内部応力
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正解:B. 試料に含まれる元素の種類と量

電子線を試料に当てると、内側の殻の電子がはじき出され、そこに外側の電子が落ちるときに元素ごとに固有のエネルギーの特性X線が出ます。EDXはそのエネルギーを分析して、元素の種類と量を調べます。電子顕微鏡で見た場所の組成がその場で分かるため、異物や不良箇所の分析に広く使われます。検出限界は0.1 wt%程度で、微量の不純物の分析にはSIMSなどを使います。

  1. 集束イオンビーム(FIB)装置の主な用途はどれか。
  2. SEMで絶縁物の試料を観察するときに、帯電(チャージアップ)を防ぐための方法として正しいものはどれか。
  3. 原子間力顕微鏡(AFM)で主に測定するものはどれか。

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関連する用語の解説

SEM(走査電子顕微鏡)
細く絞った電子線で試料の表面を走査し、出てくる二次電子などを検出して表面の形状を観察する顕微鏡。光学顕微鏡では見えない数nmの構造まで観察できる。
TEM(透過電子顕微鏡)
薄くした試料に電子線を透過させて観察する顕微鏡。原子レベルの分解能で、断面の構造や結晶の欠陥を調べられる。
FIB(集束イオンビーム)
細く絞ったイオンビームで試料を削ったり膜をつけたりする装置。微小な領域の断面加工、TEM用の薄い試料の作製、回路の修正などに使われる。
AFM(原子間力顕微鏡)
鋭い探針で試料の表面をなぞり、探針と表面の間に働く力から表面の微細な凹凸を測る顕微鏡。表面の粗さの評価などに使われる。

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