計測・分析

SIMS(二次イオン質量分析法)の説明として正しいものはどれか。

  1. A電子線を当てて発生する特性X線で元素を調べる
  2. B光の反射率から膜厚を測る
  3. C一次イオンで試料を削りながら、出てくる二次イオンを質量分析し、不純物の深さ方向の分布を調べる
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正解:C. 一次イオンで試料を削りながら、出てくる二次イオンを質量分析し、不純物の深さ方向の分布を調べる

SIMSは、一次イオンを照射して試料表面を少しずつスパッタし、放出された二次イオンを質量分析します。削りながら測定を続けることで、不純物濃度の深さ方向の分布(プロファイル)を高い感度で測定できます。イオン注入や拡散の評価によく使われますが、試料を削るため破壊分析です。

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