Nederlands
Menu

Lithografie

Controleer met meerkeuzevragen de basis van lithografie, zoals de resolutieformule (k1·λ/NA), de golflengte van EUV en positieve resist.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Lithografie: kernpunten

Lithografie is het proces waarbij het schakelingpatroon van een masker (reticle) met licht op de fotoresist op de wafer wordt overgebracht. Het is een cruciale stap die de grens van de miniaturisatie bepaalt, en de belichtingsmachine is een van de meest geavanceerde apparaten in de halfgeleiderproductie.

De resolutie verbetert naarmate de belichtingsgolflengte λ korter en de numerieke apertuur NA van de lens groter wordt. Voor geavanceerde producten worden immersiebelichting met een ArF-excimerlaser (193 nm) en EUV-belichting met een golflengte van 13,5 nm gebruikt.

Alle vragen over Lithografie (50)
  1. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  2. Welke golflengte heeft het licht dat bij EUV-belichting wordt gebruikt?
  3. Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?
  4. Welke omschrijving van ArF-immersiebelichting is juist?
  5. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?
  6. Wat gebeurt er in het algemeen met de scherptediepte (DOF) als de numerieke apertuur (NA) van het belichtingsapparaat wordt vergroot?
  7. Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?
  8. Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?
  9. Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?
  10. Welke eigenschap van chemisch versterkte resist is juist?
  11. Welke verkleiningsfactor wordt bij het projecteren van het maskerpatroon op de wafer in huidige belichtingsapparaten (scanners) gewoonlijk gebruikt?
  12. Welke eigenschap van een scanner-belichtingsapparaat is juist?
  13. Welke eigenschap van het masker voor EUV-belichting is juist?
  14. Welke is de gebruikelijke procesvolgorde in lithografie?
  15. Hoe heet de techniek waarbij een matrijs (mold) met een fijn patroon in de resist wordt gedrukt om het patroon over te brengen?
  16. Welk apparaat wordt vooral gebruikt om het patroon van een fotomasker (reticle) te schrijven?
  17. Wat is de rol van het dunne vlies (pellicle) dat op enige afstand boven het fotomasker wordt gespannen?
  18. Wat is het belangrijkste doel van de anti-reflectiefilm (BARC) die onder de resist wordt aangebracht?
  19. Welke eigenschap van „High-NA EUV”, ontwikkeld als volgende generatie EUV-belichtingsapparatuur, is juist?
  20. Welke maat geeft de oneffenheden op nanometerschaal aan op de zijkant van een fijn resistpatroon?
  21. Welke uitspraak over de coëfficiënt k1 in de resolutieformule R = k1 × λ / NA is juist?
  22. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de stochastische fluctuaties (stochastics) die bij EUV-belichting een probleem vormen?
  23. Wat is de juiste reden dat in de multilayer van een EUV-masker begraven defecten een probleem zijn?
  24. Hoe heet het bereik van voorwaarden waarbinnen de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven, ook als belichtingsdosis en focus veranderen?
  25. Wat wordt bij double patterning volgens de LELE-methode (litho-etch-litho-etch) bijzonder streng geëist?
  26. Wat is de golflengte van de i-lijn van een kwiklamp?
  27. Welke techniek verhoogt de resolutie van fijne patronen door het masker vanuit een schuine richting te belichten?
  28. Welke methode ontwikkelt positieve chemisch versterkte resist met een organisch oplosmiddel en lost de niet-belichte delen op?
  29. Welk voordeel van resist met metaaloxide, die voor EUV-belichting wordt ontwikkeld, is juist?
  30. Welke patroonvormingstechniek maakt gebruik van de eigenschap van blokcopolymeren om vanzelf regelmatige fijne patronen te vormen?
  31. Welke rol heeft lithografie in de halfgeleiderproductie?
  32. Wat is de oorspronkelijke betekenis van het woord „lithografie (lithography)”?
  33. Welke omschrijving van fotoresist is juist?
  34. Welk bedrijf levert EUV-belichtingsapparatuur praktisch als enige?
  35. Welke golflengte heeft het licht dat bij KrF-excimerlaserbelichting wordt gebruikt?
  36. Wat is het belangrijkste doel van het behandelen van het waferoppervlak met HMDS en dergelijke vóór het aanbrengen van resist?
  37. Wat is de juiste betekenis van de „half pitch”, die als maat voor schaalverkleining wordt gebruikt?
  38. Hoe heet de markering die op de wafer wordt aangebracht om bij belichting het volgende patroon nauwkeurig over het in een voorgaande stap gemaakte patroon te leggen?
  39. Wat is de juiste betekenis van „CDU”, dat in lithografie wordt beheerd?
  40. Hoe heet het materiaal waarbij op een kwartsglassubstraat vooraf een lichtblokkerende film en dergelijke is aangebracht en dat wordt gebruikt om fotomaskers te maken?
  41. Welke eigenschap van de methode waarbij zonder masker met een elektronenbundel rechtstreeks een patroon op de resist op de wafer wordt geschreven, is juist?
  42. Welke methode om licht van 13,5 nm te maken in de lichtbron van EUV-belichtingsapparatuur is juist?
  43. Hoe heet de behandeling waarbij na het aanbrengen van resist met spin-coating de aan de rand van de wafer opgehoopte resist met oplosmiddel wordt verwijderd?
  44. Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat in één belichting (één shot) op de wafer kan worden belicht met huidige scanner-belichtingsapparaten?
  45. Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat en het maskerpatroon met een computer gelijktijdig te optimaliseren?
  46. Wat is de juiste reden dat bij immersiebelichting met een zeer grote numerieke apertuur (NA) rekening moet worden gehouden met de polarisatie van het licht?
  47. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?
  48. Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?
  49. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?
  50. Wat is de belangrijkste reden dat gas dat uit resist vrijkomt (outgassing) bij EUV-belichting als probleem is beschouwd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp

Andere onderwerpen in Front-end