Nederlands
Menu

Lithografie

Wat is het belangrijkste doel van de anti-reflectiefilm (BARC) die onder de resist wordt aangebracht?

  1. AHet etsen versnellen
  2. BStaande golven in de resist en variaties in afmetingen door licht dat door de ondergrond wordt gereflecteerd onderdrukken
  3. CDe resist en de wafer aan elkaar laten hechten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Staande golven in de resist en variaties in afmetingen door licht dat door de ondergrond wordt gereflecteerd onderdrukken

Als belichtingslicht door de resist gaat en door de ondergrond wordt gereflecteerd, interfereert het met het invallende licht en ontstaan staande golven (verticale strepen) in de resist, varieert de geabsorbeerde lichthoeveelheid periodiek met kleine verschillen in resistdikte, waardoor afmetingen variëren (swing curve), en wordt het patroon dunner door licht dat schuin aan stappen in de ondergrond wordt gereflecteerd. BARC is een organische of anorganische absorberende film die de reflectie van de ondergrond tot 1% of minder beperkt en de nauwkeurigheid van afmetingen verhoogt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke eigenschap van „High-NA EUV”, ontwikkeld als volgende generatie EUV-belichtingsapparatuur, is juist?
  2. Welke maat geeft de oneffenheden op nanometerschaal aan op de zijkant van een fijn resistpatroon?
  3. Welke uitspraak over de coëfficiënt k1 in de resolutieformule R = k1 × λ / NA is juist?
  4. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de stochastische fluctuaties (stochastics) die bij EUV-belichting een probleem vormen?
  5. Wat is de juiste reden dat in de multilayer van een EUV-masker begraven defecten een probleem zijn?

Vergelijkingen bij dit onderwerp