Nederlands
Menu

Lithografie

Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat in één belichting (één shot) op de wafer kan worden belicht met huidige scanner-belichtingsapparaten?

  1. ADe hele wafer (diameter 300 mm)
  2. BOngeveer 1 mm × 1 mm
  3. COngeveer 26 mm × 33 mm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Ongeveer 26 mm × 33 mm

Een gangbare scanner belicht in één shot een gebied van ongeveer 26 mm × 33 mm (ongeveer 858 mm²) op de wafer en belicht door herhaling het hele oppervlak terwijl de wafer wordt verplaatst. Deze grootte is een maat voor de maximale chipgrootte (reticle limit), en grote GPU's en dergelijke benutten vrijwel deze bovengrens. Als een grotere afmeting nodig is, worden chiplets die meerdere chips verbinden of verbindingen op de package gebruikt. Bij High-NA EUV is dit de helft.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat en het maskerpatroon met een computer gelijktijdig te optimaliseren?
  2. Wat is de juiste reden dat bij immersiebelichting met een zeer grote numerieke apertuur (NA) rekening moet worden gehouden met de polarisatie van het licht?
  3. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?
  4. Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?
  5. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp