Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Controleer met meerkeuzevragen het planariseren met CMP, dishing en het doel van RCA-reiniging (SC-1 en SC-2).

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

CMP en reiniging: kernpunten

CMP (chemisch-mechanisch polijsten) is een techniek om het waferoppervlak vlak te maken door de chemische werking van een slurry te combineren met mechanisch polijsten door een pad. Het is onmisbaar voor meerlaagse verbindingen en voor het vormen van Cu-bedrading met de damascene-methode.

Reiniging is het proces waarbij deeltjes, organische stoffen, metaalverontreiniging en natuurlijk oxide worden verwijderd en wordt tijdens de productie vele malen herhaald. Let op het gebruik van de verschillende chemicaliën op basis van RCA-reiniging.

Alle vragen over CMP en reiniging (50)
  1. Welke uitspraak over CMP (chemisch-mechanisch polijsten) is juist?
  2. Wat is het belangrijkste doel van SC-1 (mengsel van ammonia en waterstofperoxide) dat bij RCA-reiniging wordt gebruikt?
  3. Welke uitspraak over "dishing" bij CMP is juist?
  4. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met verdund fluorwaterstofzuur (DHF)?
  5. Welke uitspraak over de slurry die bij CMP wordt gebruikt is juist?
  6. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met een mengsel van zwavelzuur en waterstofperoxide (SPM)?
  7. Wat moet bij reiniging na CMP vooral worden verwijderd?
  8. Welk voordeel van een single-waferreinigingsapparaat dat wafers een voor een behandelt is juist?
  9. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van IPA (isopropylalcohol) bij het drogen van wafers na reiniging?
  10. Welke methode wordt gebruikt om het eindpunt van het polijsten bij CMP te detecteren?
  11. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?
  12. Welk schuurdeeltje wordt bij het CMP van STI-vorming vaak gebruikt om de polijstselectiviteit van oxide ten opzichte van siliciumnitride hoog te maken?
  13. Welke reinigingsmethode voegt ultrageluid in het MHz-gebied toe aan de reinigingsvloeistof om kleine deeltjes van het waferoppervlak te verwijderen?
  14. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met ultrazuiver water waarin ozon is opgelost (ozonwater)?
  15. Welke uitspraak over de rol van benzotriazool (BTA) en dergelijke stoffen die aan de slurry voor Cu-bedrading-CMP worden toegevoegd is juist?
  16. Wat is de rol van de retainer ring die in de CMP-polijstkop rond de wafer zit?
  17. Welke reden is juist waarom deeltjes die eenmaal zijn losgekomen in een alkalische reinigingsvloeistof zoals SC-1 moeilijk opnieuw aanhechten?
  18. Welk probleem wordt veroorzaakt door metaalverontreiniging zoals ijzer en koper op het waferoppervlak?
  19. Wat is de belangrijkste oorzaak van fijne krassen (scratches) op het waferoppervlak bij CMP?
  20. Welke methode verwijdert natuurlijk oxide enz. van het oppervlak zonder vloeistof te gebruiken om het instorten van fijne structuren te voorkomen?
  21. Welke combinatie van processen waarin CMP wordt gebruikt is juist?
  22. Hoe heet het werk waarbij het oppervlak van de CMP-polijstpad met een diamantgereedschap wordt afgeslepen en geconditioneerd om de polijstsnelheid stabiel te houden?
  23. Welke uitspraak over het voordeel van CMP ten opzichte van planarisatie door thermische reflow en etch-back is juist?
  24. Welke combinatie van volgorde en doel van SC-1 en SC-2 bij standaard RCA-reiniging is juist?
  25. Wat is de belangrijkste oorzaak van het omvallen van patronen bij het reinigen en drogen van patronen met een hoge aspectverhouding?
  26. Welke reden om bij wolfraam-CMP een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide aan de slurry toe te voegen is juist?
  27. Welke maatregel in het ontwerp tegen het feit dat de polijsthoeveelheid bij CMP afhangt van de patroondichtheid binnen de chip is juist?
  28. Welke richtwaarde voor de grootte van de schuurdeeltjes in CMP-slurry is juist?
  29. Wat is het belangrijkste doel van het verdunnen van chemicaliën of het gebruik van functioneel water in recente reinigingsprocessen?
  30. Wat is het belangrijkste doel van het reinigen van de achterzijde en de rand (bevel) van de wafer?
  31. Wat is de belangrijkste reden dat reiniging van wafers belangrijk is in het productieproces van halfgeleiders?
  32. Welke uitspraak over het aantal reinigingsstappen in het hele productieproces van LSI's is juist?
  33. Welke combinatie van soorten verontreiniging op het waferoppervlak die door reiniging moeten worden verwijderd is juist?
  34. Wat is de belangrijkste reden dat in processen zoals multilaag-metallisatie het waferoppervlak met CMP vlak moet worden gemaakt?
  35. Welke beschrijving van de basisopbouw van een CMP-apparaat is juist?
  36. Welke reden om bij Cu-bedrading-CMP het polijsten gewoonlijk in meerdere stappen uit te voeren is juist?
  37. Welk verschil tussen harde en zachte pads bij CMP is in het algemeen juist?
  38. Welke toestand is juist voor een siliciumoppervlak dat als laatste met verdund fluorwaterstofzuur is gereinigd?
  39. Wat is het belangrijkste doel van een filter in de leiding waarmee slurry aan het polijstapparaat wordt toegevoerd?
  40. Welk verband tussen deeltjesgrootte en gemakkelijke verwijdering is in het algemeen juist bij het verwijderen van deeltjes van het waferoppervlak door reiniging?
  41. Bij voortgezet polijsten bij CMP stijgt de temperatuur van de polijstpad. Welke verandering van de polijstsnelheid is dan in het algemeen juist?
  42. Welke uitspraak over de rol van waterstofperoxide in SC-1 (mengsel van ammonia en waterstofperoxide) is juist?
  43. Welke methode wordt in het algemeen gebruikt om het aantal deeltjes op het waferoppervlak na reiniging te tellen?
  44. Waarom is het belangrijk om een wafer direct na CMP nat, zonder hem te laten drogen, naar de reinigingsstap te brengen?
  45. Welke uitspraak over aandachtspunten bij batchreiniging, waarbij veel wafers in hetzelfde bad met reinigingsvloeistof worden gewassen, is juist?
  46. Welke reiniging, die wordt onderzocht en toegepast om deeltjes te verwijderen zonder fijne patronen te laten omvallen, blaast fijne deeltjes van onder meer koude kooldioxide of argon op het oppervlak?
  47. Wat is het belangrijkste doel om in de CMP-polijstkop de druk waarmee de wafer wordt aangedrukt per concentrische zone te kunnen variëren?
  48. Welke vorm van CMP laat de schuurdeeltjes niet in de slurry maar maakt ze vast in de polijstpad?
  49. Welk probleem is bekend dat gemakkelijk optreedt als na reiniging met SPM (zwavelzuur en waterstofperoxide) onvoldoende wordt gespoeld?
  50. Welke polijstmethode, onderzocht voor toepassingen waar mechanische kracht klein moet zijn, vlakt metaal af door elektrochemisch oplossen te combineren?

Andere onderwerpen in Front-end