Nederlands
Menu

Lithografie

Wat is de juiste reden dat bij immersiebelichting met een zeer grote numerieke apertuur (NA) rekening moet worden gehouden met de polarisatie van het licht?

  1. AOmdat de golflengte van het licht met de polarisatie verandert
  2. BOmdat de dikte van de resist met de polarisatie verandert
  3. COmdat het licht onder een grote hoek invalt en de sterkte van de interferentie (het beeldcontrast) daardoor afhangt van de polarisatierichting
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Omdat het licht onder een grote hoek invalt en de sterkte van de interferentie (het beeldcontrast) daardoor afhangt van de polarisatierichting

Bij een grote NA is de invalshoek van het licht op de wafer groot (bij NA 1,35 in water ongeveer 70°). Als de elektrische velden van twee interfererende lichtbundels loodrecht op het vlak staan (TE-polarisatie), interfereren ze sterk samen; bij een evenwijdige richting (TM-polarisatie) nemen de componenten die elkaar opheffen toe naarmate de hoek groter is, en daalt het beeldcontrast. Daarom wordt bij immersiebelichting gepolariseerde belichting gebruikt die zo wordt geregeld dat ze TE-polarisatie heeft afhankelijk van de lijnrichting.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?
  2. Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?
  3. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat gas dat uit resist vrijkomt (outgassing) bij EUV-belichting als probleem is beschouwd?
  5. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp