Lithografie

Welke eigenschap van het masker voor EUV-belichting is juist?

  1. AEen reflecterend masker met een absorberpatroon op een multilayer-spiegel die licht reflecteert
  2. BEen transmissief masker waarbij licht door glas gaat
  3. CEr wordt geen masker gebruikt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een reflecterend masker met een absorberpatroon op een multilayer-spiegel die licht reflecteert

EUV-licht wordt door vrijwel alle stoffen geabsorbeerd, dus transmissieve maskers kunnen niet worden gebruikt. Een EUV-masker is reflecterend: op een substraat van glas met lage thermische uitzetting wordt een multilayer-spiegel gemaakt door ongeveer 40 paren molybdeen en silicium met een periode van ongeveer 7 nm te stapelen (reflectie ongeveer 65%), en daarop wordt het patroon gemaakt met een absorber op tantaalbasis. Het licht valt ongeveer 6° gekanteld in en het gereflecteerde licht gaat naar het projectie-optiek. Het verminderen van defecten in de multilayer is een grote productie-uitdaging.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke is de gebruikelijke procesvolgorde in lithografie?
  2. Hoe heet de techniek waarbij een matrijs (mold) met een fijn patroon in de resist wordt gedrukt om het patroon over te brengen?
  3. Welk apparaat wordt vooral gebruikt om het patroon van een fotomasker (reticle) te schrijven?
  4. Wat is de rol van het dunne vlies (pellicle) dat op enige afstand boven het fotomasker wordt gespannen?
  5. Wat is het belangrijkste doel van de anti-reflectiefilm (BARC) die onder de resist wordt aangebracht?

Vergelijkingen bij dit onderwerp