Nederlands
Menu

Lithografie

Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?

  1. ADe belichte delen blijven na het ontwikkelen over
  2. BDe belichte delen lossen bij het ontwikkelen op en worden verwijderd
  3. CAlles lost bij het ontwikkelen op, ongeacht belichting
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De belichte delen lossen bij het ontwikkelen op en worden verwijderd

Bij positieve resist worden de belichte delen goed oplosbaar in de ontwikkelaar en bij het ontwikkelen verwijderd, zodat het patroon van de delen die door het masker tegen licht waren afgeschermd, overblijft. Kenmerkend zijn de i-lijn-resist op novolakbasis en chemisch versterkte typen voor KrF en ArF, die met alkalische ontwikkelaar (TMAH-oplossing) worden ontwikkeld. Vanwege de uitstekende resolutie is het nu de hoofdstroom. Bij negatieve resist blijven de belichte delen over, naar hetzelfde idee als negatief en positief in de fotografie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke omschrijving van ArF-immersiebelichting is juist?
  2. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?
  3. Wat gebeurt er in het algemeen met de scherptediepte (DOF) als de numerieke apertuur (NA) van het belichtingsapparaat wordt vergroot?
  4. Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?
  5. Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?

Vergelijkingen bij dit onderwerp