Lithografie

Wat is de belangrijkste reden dat gas dat uit resist vrijkomt (outgassing) bij EUV-belichting als probleem is beschouwd?

  1. AOmdat het gas de gevoeligheid van de resist altijd verhoogt
  2. BOmdat het kan hechten aan het optiek (de spiegels) in vacuüm, dat vervuilt en de reflectie kan verlagen
  3. COmdat het gas de wafer koelt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat het kan hechten aan het optiek (de spiegels) in vacuüm, dat vervuilt en de reflectie kan verlagen

EUV-belichting vindt plaats in vacuüm, en door de belichting komen uit de resist gassen vrij, zoals koolstofhoudende moleculen en ontledingsproducten. Als die aan het oppervlak van de multilayer-spiegels van het apparaat, dat enkele tientallen miljarden yen kost, hechten en koolstofvervuiling veroorzaken, daalt de reflectie per spiegel, ook al is het weinig, en dat daalt de prestaties van het apparaat sterk door de stapeling van bijna 10 spiegels. Daarom wordt de hoeveelheid outgassing van EUV-resist vooraf beoordeeld en beheerd en wordt het apparaat van binnen met waterstof gereinigd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  2. Welke golflengte heeft het licht dat bij EUV-belichting wordt gebruikt?
  3. Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?
  4. Welke omschrijving van ArF-immersiebelichting is juist?
  5. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp