Nederlands
Menu

Lithografie

Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?

  1. ABlooming
  2. BMask 3D-effect
  3. CLoading-effect
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Mask 3D-effect

Een EUV-masker is reflecterend en het licht valt ongeveer 6° gekanteld in. Omdat de dikte van de absorber 50-70 nm is en dus dikker dan de golflengte van 13,5 nm, vormen de zijkanten van de absorber een schaduw of verandert de fase, waardoor afmetingen en posities afhankelijk van de patroonrichting verschuiven en ook de beste focuspositie per patroon verschilt (mask 3D-effect). Er wordt gewerkt aan absorbermaterialen die door hoge absorptie dunner kunnen zijn, aan phase-shift-EUV-maskers en aan correctie met OPC.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat gas dat uit resist vrijkomt (outgassing) bij EUV-belichting als probleem is beschouwd?
  3. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  4. Welke golflengte heeft het licht dat bij EUV-belichting wordt gebruikt?
  5. Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp