Lithografie

Welke is de gebruikelijke procesvolgorde in lithografie?

  1. ABelichten → resist aanbrengen → ontwikkelen → prebake
  2. BResist aanbrengen → prebake → belichten → post-exposure bake → ontwikkelen
  3. COntwikkelen → belichten → resist aanbrengen → etsen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Resist aanbrengen → prebake → belichten → post-exposure bake → ontwikkelen

Eerst wordt met HMDS-behandeling de hechting verbeterd, worden anti-reflectiefilm en resist aangebracht en wordt met een prebake (ongeveer 100 °C) het oplosmiddel verdreven. Daarna wordt belicht, en bij chemisch versterkte resist laat de post-exposure bake (PEB) de reactie verlopen. Ten slotte wordt met alkalische ontwikkelaar ontwikkeld om het patroon te vormen en zo nodig met een postbake gehard. Van coaten tot ontwikkelen gebeurt in een coater/developer die aan het belichtingsapparaat is gekoppeld, met een temperatuurbeheer van ongeveer ±0,1 °C.

Verloop van lithografie en etsen (positieve resist) Resist Te structureren laag Substraat Masker Belicht gebied ① Coaten ② Belichten ③ Ontwikkelen ④ Etsen ⑤ Resist verwijderen
Verloop van lithografie en etsen (positieve resist) · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Hoe heet de techniek waarbij een matrijs (mold) met een fijn patroon in de resist wordt gedrukt om het patroon over te brengen?
  2. Welk apparaat wordt vooral gebruikt om het patroon van een fotomasker (reticle) te schrijven?
  3. Wat is de rol van het dunne vlies (pellicle) dat op enige afstand boven het fotomasker wordt gespannen?
  4. Wat is het belangrijkste doel van de anti-reflectiefilm (BARC) die onder de resist wordt aangebracht?
  5. Welke eigenschap van „High-NA EUV”, ontwikkeld als volgende generatie EUV-belichtingsapparatuur, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp