Nederlands
Menu

Lithografie

Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?

  1. ALicht wordt verstrooid door kleine oneffenheden op het spiegeloppervlak, waardoor ook delen die eigenlijk donker zijn licht krijgen
  2. BDe resist verbrandt
  3. CDe wafer draait
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Licht wordt verstrooid door kleine oneffenheden op het spiegeloppervlak, waardoor ook delen die eigenlijk donker zijn licht krijgen

Omdat EUV een zeer korte golflengte heeft, verstrooit licht zelfs bij kleine oneffenheden op atomair niveau (ongeveer 0,1 nm) op het spiegeloppervlak. Het verstrooide licht bereikt over een groot gebied ook de delen die eigenlijk donker moeten zijn (flare), verlaagt het beeldcontrast en veroorzaakt variatie in afmetingen. Omdat flare verandert met de oppervlakte van de omliggende heldere delen, wordt met OPC afmetingscorrectie volgens de patroondichtheid uitgevoerd en wordt flare onderdrukt door ultraprecies polijsten van de spiegels.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?
  2. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat gas dat uit resist vrijkomt (outgassing) bij EUV-belichting als probleem is beschouwd?
  4. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  5. Welke golflengte heeft het licht dat bij EUV-belichting wordt gebruikt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp