Welke maat geeft de oneffenheden op nanometerschaal aan op de zijkant van een fijn resistpatroon?

Antwoord: C. Line edge roughness (LER)

LER is de maat voor de grootte van de oneffenheden aan de zijkant van een patroon (gewoonlijk uitgedrukt in 3σ), en de uitdrukking daarvan als variatie van de lijnbreedte heet LWR. Bij een lijnbreedte van ongeveer 20 nm overschrijden oneffenheden van 2-3 nm al 10% van de lijnbreedte, wat een oorzaak is van variatie in drempelspanning van transistors en bedradingsweerstand. De oorzaken zijn de grootte van de resistmoleculen, de zuurdiffusie en stochastische fluctuaties in het aantal fotonen, en verbetering gebeurt onder meer door gladstrijken bij het etsen.