Lithografie

Welke omschrijving van ArF-immersiebelichting is juist?

  1. ADe hele wafer wordt voor het ontwikkelen in water ondergedompeld
  2. BDe resist wordt met water verdund aangebracht
  3. CDe ruimte tussen de projectielens en de wafer wordt met water gevuld om de numerieke apertuur (NA) te vergroten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De ruimte tussen de projectielens en de wafer wordt met water gevuld om de numerieke apertuur (NA) te vergroten

Bij immersiebelichting wordt de spleet van ongeveer 1 mm tussen projectielens en wafer gevuld met ultrazuiver water, dat een hogere brekingsindex heeft dan lucht (ongeveer 1) en bij 193 nm ongeveer 1,44 is. Omdat NA = n·sinθ, kan de numerieke apertuur groter dan 1 worden (maximaal 1,35) en kunnen bij dezelfde golflengte van 193 nm fijnere patronen worden opgelost. Het werd vanaf ongeveer 2006 in massaproductie ingevoerd, en er werden mondstuktechnieken ontwikkeld die het water ook bij snel bewegende wafers vasthouden, en resistoppervlaklagen waar water moeilijk in dringt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?
  2. Wat gebeurt er in het algemeen met de scherptediepte (DOF) als de numerieke apertuur (NA) van het belichtingsapparaat wordt vergroot?
  3. Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?
  4. Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?
  5. Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?

Vergelijkingen bij dit onderwerp