Nederlands
Menu

Lithografie

Wat wordt bij double patterning volgens de LELE-methode (litho-etch-litho-etch) bijzonder streng geëist?

  1. ADe kleur van de resist
  2. BHet aantal belichtingsapparaten
  3. CDe overlay-nauwkeurigheid tussen het eerste en het tweede patroon
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De overlay-nauwkeurigheid tussen het eerste en het tweede patroon

Bij LELE wordt een fijn patroon in twee delen verdeeld en afzonderlijk belicht en geëtst; als het tweede patroon ten opzichte van het eerste verschuift, verandert de afstand tussen naburige lijnen met die verschuiving, wat rechtstreeks leidt tot bedradingscapaciteit en kortsluiting. Bij een afstand van 20 nm en een verschuiving van 2 nm is dat bijvoorbeeld een verandering van 10%. Daarom is een zeer hoge overlay-nauwkeurigheid nodig. Bij SADP met spacers wordt de positie van de lijnen zelfuitgelijnd bepaald, waardoor dit probleem kleiner is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat is de golflengte van de i-lijn van een kwiklamp?
  2. Welke techniek verhoogt de resolutie van fijne patronen door het masker vanuit een schuine richting te belichten?
  3. Welke methode ontwikkelt positieve chemisch versterkte resist met een organisch oplosmiddel en lost de niet-belichte delen op?
  4. Welk voordeel van resist met metaaloxide, die voor EUV-belichting wordt ontwikkeld, is juist?
  5. Welke patroonvormingstechniek maakt gebruik van de eigenschap van blokcopolymeren om vanzelf regelmatige fijne patronen te vormen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp