Lithografie

Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?

  1. AResist dik aanbrengen om de resolutie te verhogen
  2. BHet masker reinigen om vreemde deeltjes te verwijderen
  3. CHet maskerpatroon vooraf corrigeren zodat de afwijking in de vorm na de overdracht klein wordt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het maskerpatroon vooraf corrigeren zodat de afwijking in de vorm na de overdracht klein wordt

Bij patronen dicht bij de resolutiegrens krimpen lijnuiteinden door diffractie en interferentie van licht (line-end pullback), worden hoeken afgerond en verandert de lijnbreedte met de dichtheid van omliggende patronen. Bij OPC wordt deze vervorming met simulatie voorzien en worden aan de randen van het maskerpatroon hulpfiguren zoals hammerheads en serifs toegevoegd of afmetingen fijn bijgesteld. Voor geavanceerde maskers worden voor de OPC-berekening grootschalige computers gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?
  2. Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?
  3. Welke eigenschap van chemisch versterkte resist is juist?
  4. Welke verkleiningsfactor wordt bij het projecteren van het maskerpatroon op de wafer in huidige belichtingsapparaten (scanners) gewoonlijk gebruikt?
  5. Welke eigenschap van een scanner-belichtingsapparaat is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp