Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Leer met meerkeuzevragen over het verschil tussen droge en natte oxidatie, de hoeveelheid silicium die bij thermische oxidatie wordt verbruikt en de temperatuurafhankelijkheid van de diffusiecoëfficiënt.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Oxidatie en diffusie: kernpunten

Wanneer silicium op hoge temperatuur wordt verhit in een atmosfeer van zuurstof of waterdamp, ontstaat aan het oppervlak een SiO2-laag van hoge kwaliteit. Dit heet thermische oxidatie en wordt toegepast voor onder meer gate-isolatielagen, isolatie tussen componenten en maskers.

Thermische diffusie is een methode waarbij onzuiverheden bij hoge temperatuur door atomaire diffusie in het silicium worden gebracht. Omdat de diffusie sterk van de temperatuur afhangt, is beheersing van temperatuur en tijd essentieel.

Alle vragen over Oxidatie en diffusie (50)
  1. Welke vergelijking van droge oxidatie (O2) en natte oxidatie (H2O) bij thermische oxidatie van silicium is juist?
  2. Hoeveel silicium wordt ongeveer verbruikt wanneer een SiO2-film met dikte x door thermische oxidatie van silicium wordt gevormd?
  3. Welke relatie tussen de diffusiecoëfficiënt van onzuiverheden in silicium en de temperatuur is juist?
  4. Welke methode wordt hoofdzakelijk gebruikt voor elementisolatie in fijne LSI's?
  5. Welke relatie tussen oxidedikte en oxidatietijd is juist wanneer de oxidefilm bij thermische oxidatie voldoende dik is geworden?
  6. Wat is de juiste reden dat oxidefilms op silicium afhankelijk van de dikte in verschillende kleuren zichtbaar zijn?
  7. Welk apparaat wordt in het algemeen gebruikt om veel wafers tegelijk thermisch te oxideren?
  8. Hoe heet bij thermische diffusie de stap waarmee onzuiverheden dieper worden gedreven na de stap waarbij een vaste hoeveelheid onzuiverheden aan het oppervlak wordt aangebracht?
  9. Welke afhankelijkheid van de oxidatiesnelheid van het kristalvlak bij thermische oxidatie van silicium is juist?
  10. Wat is het belangrijkste doel van het inbrengen van stikstof in gate-oxide om oxynitride (SiON) te maken?
  11. Wat is de juiste reden dat thermisch oxide kan worden gebruikt als masker voor onzuiverheden bij diffusie?
  12. Hoe heet de warmtebehandeling in een waterstofhoudende atmosfeer die wordt uitgevoerd om grensvlaktoestanden aan het Si/SiO2-grensvlak te verminderen?
  13. Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van een kleine hoeveelheid chloorhoudend gas zoals waterstofchloride (HCl) bij thermische oxidatie?
  14. Wat gebeurt er met de boorconcentratie aan de siliciumzijde nabij het grensvlak bij thermische oxidatie van boorhoudend silicium?
  15. Hoe heet de warmtebehandeling waarbij wafers één voor één met bijvoorbeeld lampen in enkele seconden kort op hoge temperatuur worden gebracht?
  16. Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittiviteit van met thermische oxidatie gevormde SiO2?
  17. Welke is een juiste belangrijke reden dat silicium veel als materiaal voor MOS-componenten is gebruikt?
  18. Welk probleem treedt op als de gate-oxidefilm mobiele ionen zoals natriumionen bevat?
  19. Welke n-type onzuiverheid diffundeert bij warmtebehandeling in silicium relatief langzaam en maakt het gemakkelijk ondiepe overgangen?
  20. Welke uitleg over pyrogene oxidatie (waterstofverbrandingsoxidatie) is juist?
  21. Welke richtwaarde voor de doorslagveldsterkte van goede thermische oxide (SiO2) is juist?
  22. Welke methode laat waterstof en zuurstof dicht bij het waferoppervlak reageren om in korte tijd een goede dunne oxidefilm te maken?
  23. Hoe heet de behandeling waarbij met plasma gegenereerde stikstof in het oppervlak van een dunne gate-oxidefilm wordt ingebracht?
  24. Welke algemene relatie tussen de etssnelheden van thermische oxide en met CVD afgezette oxide is juist bij etsen in dezelfde verdunde fluorwaterstofzuuroplossing?
  25. Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een overmaat aan interstitieel silicium die door de oxidatie is ontstaan in het silicium wordt geïnjecteerd en daar groeit?
  26. Wat gebeurt er met de dikte van de oxidefilm die in dezelfde tijd wordt verkregen als de temperatuur van de thermische oxidatie wordt verhoogd?
  27. Hoe heet bij LOCOS (selectieve oxidatie) het verschijnsel waarbij de oxidefilm onder de rand van het nitridemasker als een vogelsnavel indringt?
  28. Welk voordeel is juist van thermische oxidatie in een oxiderende atmosfeer met hoge druk?
  29. Welke eigenschap van radicaaloxidatie met zuurstofradicalen is juist?
  30. Waar vindt volgens het Deal-Grove-model thermische oxidatie plaats?
  31. Welke chemische reactie vindt plaats bij droge thermische oxidatie van silicium?
  32. Welk temperatuurbereik komt het dichtst bij het gangbare bereik voor thermische oxidatie van silicium?
  33. Welke uitleg over 'diffusie' van onzuiverheden in de halfgeleiderproductie is juist?
  34. Welk gangbaar gebruik van thermische oxidefilm van silicium is juist?
  35. Welke eenheid van de diffusiecoëfficiënt D is juist?
  36. Welke inhoud van de eerste wet van Fick is juist? (J: diffusieflux, D: diffusiecoëfficiënt, C: concentratie, x: positie)
  37. Hoeveel keer zo groot wordt de afstand waarover onzuiverheden zich verspreiden ongeveer wanneer de diffusietijd bij dezelfde temperatuur 4 keer zo lang wordt?
  38. Welke combinatie van verdelingsvormen is juist voor diffusie bij constant gehouden oppervlakteconcentratie (constante-oppervlakteconcentratiediffusie) en diffusie van een vaste hoeveelheid onzuiverheden (eindige-hoeveelheidsdiffusie)?
  39. Welke verbinding wordt gebruikt als vloeibare diffusiebron bij het inbrengen van fosfor in silicium door thermische diffusie?
  40. Welke indeling van de soorten lading in de oxidefilm en aan het grensvlak van een MOS-structuur wordt algemeen gebruikt?
  41. Welke relatie tussen oxidedikte en tijd is juist in het begin van thermische oxidatie (wanneer de oxidefilm nog dun is) volgens het Deal-Grove-model?
  42. Welke relatie tussen de dikte van het veldoxide dat voor elementisolatie zoals LOCOS wordt gebruikt en de dikte van het gate-oxide van een MOSFET is in het algemeen juist?
  43. Welke algemene definitie van de 'overgangsdiepte' van een pn-overgang is juist?
  44. Hoe heet het verschijnsel waarbij de diffusie van boor en fosfor tijdens het oxideren van silicium sneller is dan wanneer niet wordt geoxideerd?
  45. Welke afwijking van het Deal-Grove-model is bekend bij het maken van dunne oxidefilms van enkele tientallen nm of minder met droge oxidatie?
  46. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij LOCOS onder het nitridemasker een dun nitride aan het siliciumoppervlak ontstaat, waardoor het latere gate-oxide plaatselijk dun of defect wordt?
  47. Wat is de belangrijkste reden dat de drukspanning van door thermische oxidatie gevormde oxidefilm bij oxidatie bij hoge temperatuur, vanaf ongeveer 950 °C, kleiner wordt?
  48. Wat is de juiste reden dat SiO2-film als masker voor diffusie van boor en fosfor kan worden gebruikt, maar nauwelijks als masker voor gallium en aluminium werkt?
  49. Welke uitleg is juist over het verschijnsel dat de diffusiecoëfficiënt van bijvoorbeeld arseen met de concentratie verandert in gebieden waar de onzuiverheidsconcentratie voldoende hoger is dan de intrinsieke dragerdichtheid?
  50. Welke eigenschap is juist bij thermische oxidatie van polykristallijn silicium (polysilicium) met veel onzuiverheden?

Andere onderwerpen in Front-end