Lithografie

Wat is de juiste hoofdoorzaak van de stochastische fluctuaties (stochastics) die bij EUV-belichting een probleem vormen?

  1. AOmdat de golflengte van EUV-licht langer is dan die van ArF
  2. BOmdat bij EUV-belichting lenzen worden gebruikt
  3. COmdat een EUV-foton veel energie heeft en het aantal fotonen bij dezelfde belichtingsdosis dus klein is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Omdat een EUV-foton veel energie heeft en het aantal fotonen bij dezelfde belichtingsdosis dus klein is

De energie van een foton is omgekeerd evenredig met de golflengte, en EUV (13,5 nm, ongeveer 92 eV) heeft ongeveer 14 keer die van ArF (193 nm, ongeveer 6,4 eV). Bij dezelfde dosis is het aantal invallende fotonen 1/14; in een gebied van 20 nm in het vierkant komen slechts enkele honderden tot enkele duizenden fotonen, en dat aantal fluctueert statistisch met ongeveer √N. Dit zijn de stochastics, die de oorzaak zijn van defecten zoals ontbrekende of verbonden patronen, LER en kleine gaten die niet opengaan. Een hogere dosis verbetert het, maar verlaagt de productiviteit.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat is de juiste reden dat in de multilayer van een EUV-masker begraven defecten een probleem zijn?
  2. Hoe heet het bereik van voorwaarden waarbinnen de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven, ook als belichtingsdosis en focus veranderen?
  3. Wat wordt bij double patterning volgens de LELE-methode (litho-etch-litho-etch) bijzonder streng geëist?
  4. Wat is de golflengte van de i-lijn van een kwiklamp?
  5. Welke techniek verhoogt de resolutie van fijne patronen door het masker vanuit een schuine richting te belichten?

Vergelijkingen bij dit onderwerp