Lithografie

Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?

  1. ATwee wafers worden tegelijk belicht
  2. BPatronen met een te fijne pitch voor één belichting worden gevormd in meerdere belichtingen of bewerkingen
  3. CMet twee lagen resist over elkaar wordt de resolutie eenvoudig verdubbeld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Patronen met een te fijne pitch voor één belichting worden gevormd in meerdere belichtingen of bewerkingen

Double patterning is een techniek om patronen met een pitch die in één keer niet oplosbaar is, te vormen door ze op te delen in twee uitgedunde patronen die afzonderlijk worden belicht en bewerkt (LELE), of door het aantal lijnen te verdubbelen met spacers die op de zijwanden zijn gedeponeerd (SADP, SAQP). Hiermee werd de schaalverkleining voortgezet voorbij de grens van ArF-immersie (pitch ongeveer 80 nm) tot een pitch van enkele tientallen nm, maar doordat het aantal processtappen, maskers en de kosten sterk toenemen, is de invoering van EUV-belichting aangedreven.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat gebeurt er in het algemeen met de scherptediepte (DOF) als de numerieke apertuur (NA) van het belichtingsapparaat wordt vergroot?
  2. Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?
  3. Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?
  4. Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?
  5. Welke eigenschap van chemisch versterkte resist is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp