Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Controleer met meerkeuzevragen de definitie van epitaxiale groei, homo- en heteroepitaxie, roostermismatch, MOCVD en MBE.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Epitaxiale groei: kernpunten

Epitaxiale groei is een techniek waarbij een monokristallijne dunne laag op een monokristallijn substraat wordt gegroeid met dezelfde kristaloriëntatie als het substraat. Omdat lagen met een nauwkeurig geregelde onzuiverheidsconcentratie kunnen worden gemaakt, wordt de techniek gebruikt voor onder meer vermogenscomponenten, bipolaire componenten en verbindingshalfgeleidercomponenten.

Er is homo-epitaxie, waarbij hetzelfde materiaal als het substraat wordt gegroeid, en hetero-epitaxie, waarbij een ander materiaal wordt gegroeid. Bij de laatste moet worden gelet op defecten door het verschil in roosterconstante (roostermismatch).

Alle vragen over Epitaxiale groei (50)
  1. Welke uitspraak over epitaxiale groei is juist?
  2. Welk voorbeeld van heteroepitaxiale groei is juist?
  3. Waarvoor wordt MOCVD (metaalorganische chemische dampafzetting) vooral gebruikt?
  4. Welk probleem treedt vooral op wanneer het verschil in roosterconstante tussen substraat en gegroeide film (roostermismatch) groot is?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bundelepitaxie) is juist?
  6. Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?
  7. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?
  8. Hoe heet het verschijnsel dat tijdens epitaxiale groei onzuiverheden uit bijvoorbeeld het substraat via de gasfase in de gegroeide laag worden opgenomen?
  9. Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale laag met lage concentratie op een p+-substraat is gegroeid (p/p+-epiwafer) is juist?
  10. Welke uitspraak over de kritische laagdikte bij heteroepitaxiale groei is juist?
  11. Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafer in een waterstofatmosfeer bij hoge temperatuur vlak vóór de epitaxiale groei van silicium?
  12. Waarom is de epitaxiale laag belangrijk bij de fabricage van SiC-vermogenscomponenten?
  13. Bij epitaxiale groei met CVD hangt de groeisnelheid in het gebied met relatief lage temperatuur sterk van de temperatuur af. Welke verklaring is juist?
  14. Welk veelvoorkomend kristaldefect in epitaxiale lagen is een verstoring van de stapelvolgorde van de atoomvlakken?
  15. Hoe heet de techniek waarbij bij bijvoorbeeld GaN het kristal vanuit openingen in een masker groeit en zich zijwaarts over het masker uitbreidt, waardoor dislocaties afnemen?
  16. Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan en groeien uit bijvoorbeeld een oplossing in gesmolten metaal?
  17. Welke temperatuur ligt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur voor epitaxiale groei van silicium met trichloorsilaan?
  18. Welke spanning ontstaat in een dunne siliciumlaag die epitaxiaal is gegroeid op een gerelaxeerde SiGe-laag met een grotere roosterconstante?
  19. Welke items worden als kwaliteit van een epitaxiale wafer beheerst?
  20. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een substraat dat enkele graden van de kristalas is gekanteld (met off-angle) bij epitaxiale groei van SiC?
  21. Welk voordeel van epitaxiale groei van silicium bij verlaagde druk is juist?
  22. Welke methode meet de dikte van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie met behulp van interferentie van infrarood licht?
  23. Wat is de belangrijkste uitdaging bij het laten groeien van GaN op een Si-substraat?
  24. Hoe heet het toevoegen van onzuiverheden tijdens de groei door doteergas te laten stromen tijdens epitaxiale groei?
  25. Hoe heet een periodieke structuur van afwisselend gestapelde lagen van verschillende materialen, elk circa enkele nm dun?
  26. Welke techniek wordt gebruikt om de baselaag van een SiGe-HBT te vormen?
  27. Welk voordeel heeft het toevoegen van onzuiverheden tijdens epitaxiale groei ten opzichte van thermische diffusie?
  28. Waarom is het in geavanceerde CMOS-processen nodig de temperatuur van de epitaxiale groei van silicium of SiGe te verlagen?
  29. Welk kristalpolytype (polytype) wordt vooral gebruikt voor SiC-vermogenscomponenten?
  30. Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?
  31. Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?
  32. Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?
  33. Wat is de belangrijkste rol van de grote hoeveelheid waterstof (H2) die samen met het grondstofgas wordt toegevoerd bij epitaxiale groei van silicium?
  34. Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?
  35. Welke waarde komt het dichtst bij de gangbare dichtheid van doorlopende dislocaties die in GaN op een saffiersubstraat tot aan het filmoppervlak doordringen?
  36. Wat is het belangrijkste doel van een laag met hoge concentratie (buried layer) onder de epitaxiale laag bij bijvoorbeeld bipolaire transistoren?
  37. Welke temperatuur komt het dichtst bij de gangbare groeitemperatuur van epitaxiale groei (CVD) van SiC?
  38. Welk reactortype is de hoofdstroom bij epitaxiale groei van silicium op 300 mm-wafers?
  39. Wat is het doel van een 'graded buffer layer' (laag waarvan de samenstelling geleidelijk verandert) bij heteroepitaxiale groei van materialen met sterk verschillende roosterconstanten?
  40. Wat betekent een smalle halfwaardebreedte van de piek in de rocking curve van röntgendiffractie bij de beoordeling van de kristalkwaliteit van een epitaxiale laag?
  41. Wat betekent de 'V/III-verhouding' die bij de groei van GaN met MOCVD als voorwaarde wordt beheerst?
  42. Hoe heet het verschijnsel dat bij hoge-temperatuurgroei van een epilaag met lage concentratie op een substraat met hoge concentratie onzuiverheden uit het substraat door diffusie in vaste stof naar de epilaag sijpelen, waardoor de concentratieovergang aan het grensvlak minder abrupt wordt?
  43. Welke techniek, ontwikkeld door onder meer Isamu Akasaki en Hiroshi Amano, waarbij eerst bij lage temperatuur een dunne laag wordt afgezet en daarna bij hoge temperatuur GaN wordt gegroeid, dient om GaN van hoge kwaliteit op een saffiersubstraat te laten groeien?
  44. Welke groeimodus, die ook voor het maken van kwantumdots wordt gebruikt, houdt in dat bij een roostermismatch de eerste paar atoomlagen laag voor laag groeien en bij oplopende spanning overgaan op eilandgroei?
  45. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van silicium op een substraat met patronen zoals een buried layer de positie van de op het oppervlak zichtbare trap verschuift ten opzichte van het onderliggende patroon of de vorm vervormt?
  46. Wat is het belangrijkste doel van het inbedden van epitaxiaal gegroeid Si:C, silicium met een beetje koolstof, in source en drain van nMOS?
  47. Welke techniek in onderzoeksfase laat een kristal groeien op een substraat dat met een 2D-materiaal zoals grafeen is bedekt, zodat de gegroeide film van het substraat kan worden losgemaakt en het substraat hergebruikt?
  48. Wat is het belangrijkste doel van het toevoegen van koolstof of ijzer aan de GaN-bufferlaag onder het kanaal in een epistructuur voor GaN-HEMT's?
  49. Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de volgorde van Ga en As is omgekeerd, die gemakkelijk ontstaat wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op een niet-polair siliciumsubstraat wordt gegroeid?
  50. Hoe heet het verschijnsel dat bij epitaxiale groei van SiC meerdere atoomstappen op het oppervlak samenkomen tot een grote trap, waardoor het oppervlak ruw wordt?

Andere onderwerpen in Front-end