Lithografie

Welke methode om licht van 13,5 nm te maken in de lichtbron van EUV-belichtingsapparatuur is juist?

  1. AOntlading van een kwiklamp
  2. BGolflengteomzetting van het licht van een ArF-excimerlaser
  3. CEen krachtige laser op kleine druppeltjes tin richten om plasma te maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een krachtige laser op kleine druppeltjes tin richten om plasma te maken

In een EUV-lichtbron wordt ongeveer 50.000 maal per seconde een druppel tin met een diameter van ongeveer 30 µm eerst met een zwakke laser plat uitgespreid, daarna met een krachtige CO2-laser getroffen tot een plasma van enkele honderdduizenden °C, en het daaruit komende licht van 13,5 nm wordt met een multilayer-spiegel verzameld (LPP-methode). Doorslaggevend voor massaproductie was dat stabiel een vermogen van 250 W of meer kon worden verkregen. Met waterstofgas wordt voorkomen dat de collectorspiegel vervuilt door rondvliegend tin.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Hoe heet de behandeling waarbij na het aanbrengen van resist met spin-coating de aan de rand van de wafer opgehoopte resist met oplosmiddel wordt verwijderd?
  2. Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat in één belichting (één shot) op de wafer kan worden belicht met huidige scanner-belichtingsapparaten?
  3. Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat en het maskerpatroon met een computer gelijktijdig te optimaliseren?
  4. Wat is de juiste reden dat bij immersiebelichting met een zeer grote numerieke apertuur (NA) rekening moet worden gehouden met de polarisatie van het licht?
  5. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?

Vergelijkingen bij dit onderwerp