Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Controleer met meerkeuzevragen de versnellingsenergie en dosis bij ionenimplantatie, het gloeien na implantatie en maatregelen tegen channeling.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Ionenimplantatie: kernpunten

Ionenimplantatie is een techniek waarbij onzuiverheden worden geïoniseerd, door een elektrisch veld worden versneld en in de wafer worden geschoten. Omdat dosis en diepte nauwkeurig kunnen worden geregeld, is het tegenwoordig de standaardmethode om onzuiverheden in te brengen.

De ingeschoten ionen beschadigen het kristal, dus na de implantatie worden het kristal met een warmtebehandeling (annealing) hersteld en de onzuiverheden elektrisch geactiveerd. Let ook op de factoren die de implantatiediepte bepalen en op maatregelen om channeling te voorkomen.

Alle vragen over Ionenimplantatie (50)
  1. Welke parameter bepaalt bij ionenimplantatie vooral de diepte (range) waarop de dopeerstof wordt ingeschoten?
  2. Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?
  3. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het verschijnsel dat ionen door de ruimten in het kristal te diep doordringen) bij ionenimplantatie te onderdrukken?
  4. Welke eenheid drukt de dosis van ionenimplantatie juist uit?
  5. Welke maatregel om ondiepe juncties te maken in source en drain van kleine transistors is juist?
  6. Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling van de dopeerstof na ionenimplantatie bij benadering beschrijft en de grootheid die de diepte van de piek aangeeft, is juist?
  7. Welk deel van een ionenimplanter selecteert met een magnetisch veld alleen de gewenste ionensoort?
  8. Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten opzichte van thermische diffusie?
  9. Wat is het juiste doel van pre-amorphization implant (PAI)?
  10. Wat wordt gebruikt om oplading (charge-up) van de wafer tijdens ionenimplantatie te onderdrukken?
  11. Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een oppervlak van 100 cm² met een dosis van 1×10¹⁵ ions/cm². Hoe lang duurt de implantatie ongeveer bij een bundelstroom van 1 mA? (Elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)
  12. Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge-energie-ionenimplantatie de dopeerconcentratie dieper dan aan het oppervlak hoog is gemaakt?
  13. Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?
  14. Waarom wordt voor het maken van een ondiepe p-laag soms BF2⁺-ionen in plaats van boor alleen geïmplanteerd?
  15. Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?
  16. Welke ionenimplanter wordt gebruikt om, zoals bij de vorming van source en drain, een grote dosis in korte tijd te implanteren?
  17. Wat gebeurt er in het algemeen met de laagweerstand van de geïmplanteerde laag als bij dezelfde annealomstandigheden de ionendosis wordt verhoogd?
  18. Waarop moet worden gelet bij het gebruik van fotoresist als masker voor ionenimplantatie?
  19. Welk voordeel van plasma doping, waarbij de wafer rechtstreeks aan een dopeerstofhoudend plasma wordt blootgesteld en ionen met lage energie worden geïmplanteerd, is juist?
  20. Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?
  21. Welke eigenschap bepaalt de bovengrens van de concentratie die elektrisch kan worden geactiveerd wanneer dopeerstoffen bij de anneal worden geactiveerd?
  22. Welke eigenschap van laser-anneal is juist?
  23. Welke methode is juist om bij ionenimplantatie de dosis binnen het waferoppervlak uniform te maken?
  24. Welk onderdeel van een ionenimplanter meet de bundelstroom om de hoeveelheid geïmplanteerde ionen (dosis) te bepalen?
  25. Wat is het belangrijkste doel van het samen met boor implanteren (co-implantatie) van onder meer koolstof bij het maken van een ondiepe p-junctie?
  26. Welk gas wordt kenmerkend gebruikt in de ionenbron van een ionenimplanter om boorionen te maken?
  27. Welk voorbeeld van een toepassing van ionenimplantatie met hoge energie tot enkele MeV is juist?
  28. Als dopeerstof met een dosis van 1×10¹⁵ cm⁻² uniform over een diepte van 100 nm is verdeeld, hoe groot is dan de gemiddelde concentratie ongeveer?
  29. Welke ionenimplantatie wordt gebruikt voor het afsplitsen van wafers (Smart Cut) en voor lifetimecontrole in vermogenscomponenten?
  30. Hoe heet het defect dat achterblijft op een iets grotere diepte dan de grens tussen de oorspronkelijke amorfe laag en het kristal wanneer een amorf gemaakte laag opnieuw wordt gekristalliseerd?
  31. Welke omschrijving van het principe van ionenimplantatie is juist?
  32. Welke eenheid wordt gewoonlijk gebruikt om de versnellingsenergie bij ionenimplantatie uit te drukken?
  33. Welke combinatie van in silicium geïmplanteerde dopeerstof en geleidingstype is juist?
  34. Welk bereik komt het best overeen met het dosisbereik van ionenimplantatie dat bij de fabricage van LSI's wordt gebruikt?
  35. Wat is de belangrijkste reden om het pad van de bundel in een ionenimplanter onder hoog vacuüm te houden?
  36. Wat is de juiste volgorde waarin ionen door een gangbare ionenimplanter gaan?
  37. Welke relatie tussen de range van arseen (massagetal 75) en fosfor (massagetal 31) is juist bij implantatie in silicium met dezelfde versnellingsenergie?
  38. Hoe groot is de energie van tweewaardige ionen (dubbele lading) die in een ionenimplanter met een versnelspanning van 50 kV worden versneld?
  39. Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantaties met een gemiddelde dosis, zoals de drempelspanningsinstelling van MOSFET's en wells?
  40. Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel atoom dat in het kristal ontstaat wanneer een geïmplanteerd ion een siliciumatoom wegslaat?
  41. Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimplantatie met grote stroom te koelen?
  42. Welke verdeling van de door ionenimplantatie veroorzaakte kristalschade is in het algemeen juist?
  43. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om dopeerstof in de polysiliciumgate-elektrode van een MOSFET in te brengen om die een lage weerstand te geven?
  44. Hoe heet de methode waarbij n-type dopeerstof in een reeds p-type gebied wordt geïmplanteerd om de netto dopeerconcentratie te verlagen of het geleidingstype om te keren?
  45. Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?
  46. Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie nabij de rand van een masker zijdelings onder het masker doordringt?
  47. Welke combinatie van de twee mechanismen waarmee geïmplanteerde ionen energie in een materiaal verliezen, is juist?
  48. Waarom wordt bij het implanteren van aluminium en dergelijke in SiC vaak geïmplanteerd terwijl de wafer tot enkele honderden °C wordt verhit (hogetemperatuurimplantatie)?
  49. Welk element, zwaarder dan boor, is als p-type dopeerstof onderzocht en gebruikt om een steil retrograde verdeling in het kanaal van nMOS te maken?
  50. Wat is een veelvoorkomend probleem bij het verwijderen van fotoresist dat een implantatie met hoge dosis heeft ondergaan?

Vergelijkingen bij dit onderwerp

Andere onderwerpen in Front-end