Lithografie

Welke eigenschap van de methode waarbij zonder masker met een elektronenbundel rechtstreeks een patroon op de resist op de wafer wordt geschreven, is juist?

  1. AHet is de snelste methode voor massaproductie
  2. BEr is geen masker nodig en zeer fijne patronen kunnen worden geschreven, maar het schrijven kost tijd en is dus niet geschikt voor massaproductie
  3. CHet kan geen patronen schrijven
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Er is geen masker nodig en zeer fijne patronen kunnen worden geschreven, maar het schrijven kost tijd en is dus niet geschikt voor massaproductie

Rechtstreeks schrijven met een elektronenbundel gebruikt elektronen met een golflengte van minder dan een nm, heeft dus geen diffractiegrens van licht en kan zonder masker zeer fijne patronen van 10 nm of minder vormen. Omdat het patroon echter één voor één als in één streep wordt geschreven, kost het voor één wafer van 300 mm soms dagen en is het niet geschikt voor massaproductie. Het wordt gebruikt voor onderzoek en ontwikkeling, kleine prototypes, het maken van fotomaskers en het maken van matrijzen voor nano-imprint.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke methode om licht van 13,5 nm te maken in de lichtbron van EUV-belichtingsapparatuur is juist?
  2. Hoe heet de behandeling waarbij na het aanbrengen van resist met spin-coating de aan de rand van de wafer opgehoopte resist met oplosmiddel wordt verwijderd?
  3. Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat in één belichting (één shot) op de wafer kan worden belicht met huidige scanner-belichtingsapparaten?
  4. Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat en het maskerpatroon met een computer gelijktijdig te optimaliseren?
  5. Wat is de juiste reden dat bij immersiebelichting met een zeer grote numerieke apertuur (NA) rekening moet worden gehouden met de polarisatie van het licht?

Vergelijkingen bij dit onderwerp