Welke verkleiningsfactor wordt bij het projecteren van het maskerpatroon op de wafer in huidige belichtingsapparaten (scanners) gewoonlijk gebruikt?

Antwoord: B. 1/4

In huidige belichtingsapparaten wordt het maskerpatroon gewoonlijk 4 keer verkleind op de wafer geprojecteerd. Omdat het patroon op het masker 4 keer zo groot mag zijn als op de wafer, is het masker gemakkelijk te maken, en worden kleine defecten en afmetingsfouten op het masker eveneens tot 1/4 verkleind en hebben ze minder invloed. Het masker is standaard een kwartsplaat van 6 inch in het vierkant (152 mm), waarop 4 keer een shot van 26 × 33 mm past. Bij High-NA EUV wordt afhankelijk van de richting een verkleining van 1/4 en 1/8 gecombineerd.