Nederlands
Menu

Lithografie

Welk voordeel van resist met metaaloxide, die voor EUV-belichting wordt ontwikkeld, is juist?

  1. AHet absorbeert veel EUV-licht en heeft ook in een dunne film een hoge etsbestendigheid
  2. BBelichten is niet nodig
  3. CHet absorbeert helemaal geen licht
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het absorbeert veel EUV-licht en heeft ook in een dunne film een hoge etsbestendigheid

Resist met metalen zoals tin en hafnium absorbeert EUV-licht enkele malen beter dan organische resist, zodat met weinig dosis kan worden gereageerd en naar verwachting ook de invloed van fluctuaties in het aantal fotonen (stochastics) afneemt. De moleculen zijn klein, de resolutie is goed en de etsbestendigheid is hoog, dus ook een dunne film van ongeveer 20 nm kan als masker dienen en het omvallen van fijne patronen wordt gemakkelijk voorkomen. Er wordt ook droge resist ontwikkeld die in vacuüm wordt afgezet.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke patroonvormingstechniek maakt gebruik van de eigenschap van blokcopolymeren om vanzelf regelmatige fijne patronen te vormen?
  2. Welke rol heeft lithografie in de halfgeleiderproductie?
  3. Wat is de oorspronkelijke betekenis van het woord „lithografie (lithography)”?
  4. Welke omschrijving van fotoresist is juist?
  5. Welk bedrijf levert EUV-belichtingsapparatuur praktisch als enige?

Vergelijkingen bij dit onderwerp