Lithografie

Wat is het juiste doel van een phase-shift mask?

  1. ADe fase van licht dat door naburige openingen gaat veranderen en interferentie gebruiken om resolutie en contrast te verhogen
  2. BHet masker lichter maken
  3. CDe belichtingslichthoeveelheid verdubbelen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De fase van licht dat door naburige openingen gaat veranderen en interferentie gebruiken om resolutie en contrast te verhogen

Een phase-shift mask verschuift de fase van licht dat door een deel van het masker gaat 180°, zodat de amplitude op de grens van licht van naburige patronen wordt opgeheven, donkere delen donkerder worden en het contrast aan de patroongrenzen toeneemt. Er zijn het Levenson-type, waarbij de fase van naburige patronen afwisselend wordt omgekeerd, en het halftone-type, waarbij het lichtblokkerende deel een fase-omkerende film (zoals MoSi) is die een beetje licht doorlaat; het halftone-type wordt veel gebruikt bij ArF-belichting.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Lithografie

  1. Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?
  2. Welke eigenschap van chemisch versterkte resist is juist?
  3. Welke verkleiningsfactor wordt bij het projecteren van het maskerpatroon op de wafer in huidige belichtingsapparaten (scanners) gewoonlijk gebruikt?
  4. Welke eigenschap van een scanner-belichtingsapparaat is juist?
  5. Welke eigenschap van het masker voor EUV-belichting is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp