Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Controleer met meerkeuzevragen de basis van siliciumwafers, zoals de productie van monokristallijn silicium met de CZ- en FZ-methode en de wafergroottes.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Die-yieldcalculator →

Siliciumwafers: kernpunten

De meeste halfgeleidercomponenten worden gemaakt op wafers, dunne plakken zeer zuiver monokristallijn silicium. Voor de productie van het monokristal bestaan de CZ-methode, waarbij een kristal uit gesmolten silicium in een kroes wordt getrokken, en de FZ-methode, waarbij geen kroes wordt gebruikt.

Het getrokken kristal wordt na zagen, polijsten en reinigen een wafer. De diameter blijft toenemen en in geavanceerde productielijnen zijn wafers van 300 mm de standaard.

Alle vragen over Siliciumwafers (50)
  1. Welke methode wordt het meest gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium voor LSI's?
  2. Welke waferdiameter is momenteel de gangbare in de massaproductielijnen voor de meest geavanceerde logica en geheugens?
  3. Welke eigenschap van met de FZ-methode (floating-zone-methode) vervaardigd monokristallijn silicium is juist?
  4. Wat is de belangrijkste functie van de notch (kleine uitsparing) aan de rand van een siliciumwafer?
  5. Welke beschrijving van gettering is juist?
  6. Welke onzuiverheid wordt in relatief grote hoeveelheid uit de kroes in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal opgenomen?
  7. Welke volgorde is het meest geschikt voor het proces waarmee uit een monokristallijne ingot wafers worden gemaakt?
  8. Welke typische productiemethode voor SOI-wafers is juist?
  9. Welke kristaloriëntatie wordt in het algemeen gebruikt voor siliciumwafers voor CMOS-LSI's?
  10. Welk verband tussen de soortelijke weerstand van een siliciumwafer en de concentratie van de toegevoegde onzuiverheid is juist?
  11. Welke waarde ligt het dichtst bij de standaarddikte van een siliciumwafer van 300 mm?
  12. Wat is het belangrijkste doel van het regelen van de verhouding (V/G) tussen de treksnelheid van het kristal en de temperatuurgradiënt in het kristal bij de CZ-methode?
  13. Wat is de typische productiemethode voor zeer zuiver polykristallijn silicium?
  14. Hoe heet een wafer die los van productwafers door het proces wordt gestuurd om onder meer de toestand van apparatuur te controleren en laagdiktes te meten?
  15. Wat is de juiste belangrijkste reden waarom siliciumwafers een hoge vlakheid moeten hebben?
  16. Welke apparatuur wordt in het algemeen gebruikt om een siliciumingot in één keer in veel wafers te zagen?
  17. Wat is het belangrijkste doel van het afschuinen (bevelen) van de rand van een wafer?
  18. Welke onzuiverheid wordt typisch aan de smelt toegevoegd om bij de CZ-methode p-type siliciumkristal te maken?
  19. Bij de CZ-methode neemt de onzuiverheidsconcentratie toe naarmate men het onderste deel van het kristal (de tweede helft van het trekken) nadert. Wat is hiervoor de juiste reden?
  20. Welke uitspraak over de wafers van 450 mm, die als volgende diameter na 300 mm werden ontwikkeld, is juist?
  21. Wat is het juiste doel van het benutten van de kleine defecten (BMD) die ontstaan door zuurstofprecipitatie in een CZ-wafer?
  22. Een wafer wordt thermisch behandeld, zodat zuurstof nabij het oppervlak naar buiten diffundeert en aan het oppervlak waar de componenten worden gemaakt een laag met weinig defecten ontstaat. Hoe heet deze laag?
  23. Wat is het doel van het lasermerk (ID-merk) dat op de voor- of achterzijde van een wafer wordt gegraveerd?
  24. Welke polijstmethode is gebruikelijk voor wafers van 300 mm?
  25. Hoe heet een gebruikte monitorwafer waarvan de lagen aan het oppervlak zijn verwijderd en die opnieuw is gepolijst zodat hij weer kan worden gebruikt?
  26. Welke methode wordt gebruikt om de soortelijke weerstand van een wafer contactloos te meten?
  27. Welke methode zet FZ-silicium door bestraling met neutronen om, waarbij een deel van het silicium in fosfor verandert tot homogeen n-type?
  28. Welke methode onderdrukt bij de CZ-methode de convectie van de smelt door een magneetveld aan te leggen op de kroes, om onder meer de zuurstofconcentratie te regelen?
  29. Welke omstandigheden worden tijdens het trekken voornamelijk aangepast om de diameter van een monokristallijne siliciumingot constant te houden?
  30. Welke reden waarom SiC-wafers moeilijk te produceren en duur zijn, is juist?
  31. Hoeveel inch wordt een siliciumwafer met een diameter van 300 mm bij benadering genoemd?
  32. Hoe heet de cilindervormige massa monokristallijn silicium, gegroeid met onder meer de CZ-methode, voordat deze tot wafers wordt gesneden?
  33. Wat is de juiste belangrijkste reden waarom siliciumwafers rond zijn?
  34. Welke combinatie van Japanse bedrijven die een groot aandeel hebben op de wereldmarkt voor siliciumwafers is juist?
  35. Wat is het doel van het dun laten groeien (necking) van het kristal direct na het zaadkristal aan het begin van het trekken bij de CZ-methode?
  36. Wat is de juiste oorzaak van slip, een probleem bij de warmtebehandeling van wafers met grote diameter bij hoge temperatuur?
  37. Welke waarde ligt het dichtst bij de massa van één siliciumwafer met een diameter van 300 mm en een dikte van 775 µm? (De dichtheid van silicium is circa 2,33 g/cm³.)
  38. Welke methode wordt gebruikt om polykristallijne siliciumingots voor zonnecellen goedkoop in grote aantallen te maken?
  39. Wat is de belangrijkste reden om bij het einde van het trekken van een monokristal met de CZ-methode de diameter van de ingot geleidelijk te laten afnemen (het staartstuk toe te spitsen) voordat hij van de smelt wordt losgemaakt?
  40. Welke waarde ligt het dichtst bij de gebruikelijke concentratie interstitieel zuurstof in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal?
  41. Welk slijpmiddel wordt in het algemeen gebruikt in de polijstvloeistof bij het spiegelpolijsten van siliciumwafers (finish-polijsten met CMP)?
  42. Wat is het juiste hoofdgebruik van n⁺-siliciumwafers met lage soortelijke weerstand en een hoge concentratie arseen of antimoon?
  43. Wanneer CZ-silicium rond 450 °C wordt verhit, kunnen zuurstofatomen zich verzamelen en als donor werken, waardoor de soortelijke weerstand van de wafer verandert. Hoe heet dit?
  44. Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?
  45. Hoe heet de zeer geleidelijke oneffenheid aan het waferoppervlak met een golflengte van enkele mm en een hoogte van enkele tientallen nm?
  46. Welk effect heeft interstitieel zuurstof in CZ-silicium op de mechanische sterkte van de wafer vergeleken met FZ-silicium?
  47. Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoeveelheid stikstof (stikstofdotering) tijdens de groei van CZ-kristal?
  48. Welke methode etst defecten selectief ondiep, zodat dislocaties en stapelfouten in siliciumkristal met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?
  49. Hoe heet de periodieke strookvormige verandering van de concentratie van dopanten of zuurstof in CZ-kristal, veroorzaakt door onder meer temperatuurschommelingen aan het groeigrensvlak van het kristal?
  50. Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn silicium het gemakkelijkst?

Vergelijkingen bij dit onderwerp

Andere onderwerpen in Front-end