Wat is de juiste reden dat in de multilayer van een EUV-masker begraven defecten een probleem zijn?

Antwoord: B. Omdat fase en intensiteit van het gereflecteerde licht worden verstoord en dit als patroondefect op de wafer wordt overgebracht

Als er in of onder de multilayer van een EUV-masker oneffenheden of vreemde deeltjes van enkele nm zitten, wordt de stapel van tientallen lagen erboven verstoord en veranderen fase en intensiteit van het gereflecteerde licht. Zelfs een hoogteverstoring van enkele nm wordt op de wafer overgebracht en wordt een defect. Omdat ze vanaf het oppervlak moeilijk te vinden zijn, zijn speciale inspectieapparaten met EUV-licht (actinische inspectie) ontwikkeld, en wordt ook een methode gebruikt waarbij het absorberpatroon zo wordt verschoven dat de positie van het defect wordt vermeden.