Lithografie
Welke eigenschap van „High-NA EUV”, ontwikkeld als volgende generatie EUV-belichtingsapparatuur, is juist?
- ADe numerieke apertuur van het projectie-optiek is van 0,33 naar 0,55 vergroot, waardoor de resolutie hoger is
- BDe belichtingsgolflengte is verlengd tot 193 nm
- CBelichten zonder masker
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De numerieke apertuur van het projectie-optiek is van 0,33 naar 0,55 vergroot, waardoor de resolutie hoger is
De numerieke apertuur van conventionele EUV-belichtingsapparaten is 0,33, maar bij High-NA EUV is die vergroot tot 0,55; de resolutie neemt ongeveer 1,7 keer toe en patronen met een pitch van het begin van de twintigtallen nm kunnen in één belichting worden belicht. De golflengte is dezelfde 13,5 nm. Daar staat tegenover dat de scherptediepte ondieper wordt en door de afhankelijkheid van de verkleining van de richting het belichtbare gebied (shot) de helft van het conventionele is. ASML heeft het ontwikkeld, en een systeem kost naar verluidt ongeveer 50 miljard yen.