CMP en reiniging
Wat is de belangrijkste reden dat in processen zoals multilaag-metallisatie het waferoppervlak met CMP vlak moet worden gemaakt?
- AOm het oppervlak te laten glanzen en er mooi uit te laten zien
- BOmdat bij achterblijvende ongelijkheden bij de volgende belichting delen onscherp worden en de bewerking van lagen moeilijker wordt
- COm de wafer zwaarder te maken
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Omdat bij achterblijvende ongelijkheden bij de volgende belichting delen onscherp worden en de bewerking van lagen moeilijker wordt
Naarmate er meer lagen worden gestapeld, ontstaan ongelijkheden in het oppervlak, en omdat de scherptediepte bij geavanceerde belichting slechts circa 100 nm bedraagt, kunnen patronen bij hoogteverschillen daarboven niet nauwkeurig worden afgebeeld. Bij hoogteverschillen wordt bij depositie ook de film op de stap dunner en blijven bij het etsen resten achter. Doordat CMP het oppervlak vlak maakt, kunnen meer dan 10 bedradingslagen worden gestapeld en zijn bedradingsdichtheid en prestaties sterk verbeterd.