Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Welke methode wordt in het algemeen gebruikt om het aantal deeltjes op het waferoppervlak na reiniging te tellen?

  1. ADe wafer wegen
  2. BLaserlicht over het waferoppervlak scannen en door deeltjes verstrooid licht detecteren
  3. CDe wafer breken en de doorsnede bekijken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Laserlicht over het waferoppervlak scannen en door deeltjes verstrooid licht detecteren

Een deeltjesinspectieapparaat (oppervlakte-inspectieapparaat) scant een draaiende wafer met laserlicht, detecteert het door deeltjes en defecten verstrooide licht en bepaalt positie en grootte (verstrooiingsintensiteit omgerekend naar standaarddeeltjes). De nieuwste apparaten kunnen ook deeltjes van 20 nm of kleiner detecteren. Het wordt gebruikt om reiniging en de reinheid van apparatuur te beoordelen op wafers zonder patronen, en voor defectinspectie van wafers met patronen worden andere apparaten gebruikt die beelden vergelijken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Waarom is het belangrijk om een wafer direct na CMP nat, zonder hem te laten drogen, naar de reinigingsstap te brengen?
  2. Welke uitspraak over aandachtspunten bij batchreiniging, waarbij veel wafers in hetzelfde bad met reinigingsvloeistof worden gewassen, is juist?
  3. Welke reiniging, die wordt onderzocht en toegepast om deeltjes te verwijderen zonder fijne patronen te laten omvallen, blaast fijne deeltjes van onder meer koude kooldioxide of argon op het oppervlak?
  4. Wat is het belangrijkste doel om in de CMP-polijstkop de druk waarmee de wafer wordt aangedrukt per concentrische zone te kunnen variëren?
  5. Welke vorm van CMP laat de schuurdeeltjes niet in de slurry maar maakt ze vast in de polijstpad?