CMP en reiniging

Welke uitspraak over het voordeel van CMP ten opzichte van planarisatie door thermische reflow en etch-back is juist?

  1. AHet is altijd goedkoper
  2. BEr komen helemaal geen polijstresten vrij
  3. CPlanarisatie over een groot gebied van de hele wafer (globale planarisatie) is mogelijk
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Planarisatie over een groot gebied van de hele wafer (globale planarisatie) is mogelijk

Met thermische reflow van BPSG of etch-back met resist kunnen lokale hoogteverschillen worden afgevlakt, maar planarisatie over een gebied van enkele mm tot enkele cm is moeilijk. CMP polijst met een harde pad bij voorkeur de verhogingen, zodat over de hele chip en de hele wafer een hoge vlakheid (globale planarisatie) wordt bereikt. Hierdoor kan het oppervlak binnen de scherptediepte van de belichting blijven, wat multilaag-metallisatie met meer dan 10 lagen en koperbedrading mogelijk maakte.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke combinatie van volgorde en doel van SC-1 en SC-2 bij standaard RCA-reiniging is juist?
  2. Wat is de belangrijkste oorzaak van het omvallen van patronen bij het reinigen en drogen van patronen met een hoge aspectverhouding?
  3. Welke reden om bij wolfraam-CMP een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide aan de slurry toe te voegen is juist?
  4. Welke maatregel in het ontwerp tegen het feit dat de polijsthoeveelheid bij CMP afhangt van de patroondichtheid binnen de chip is juist?
  5. Welke richtwaarde voor de grootte van de schuurdeeltjes in CMP-slurry is juist?