CMP en reiniging

Welke uitspraak over de rol van waterstofperoxide in SC-1 (mengsel van ammonia en waterstofperoxide) is juist?

  1. AHet laat deeltjes aan elkaar kleven
  2. BHet sluit het oppervlak af met waterstof
  3. CHet oxideert het siliciumoppervlak en bedekt het met een dunne oxidefilm, en etst het oppervlak voortdurend licht terwijl direct aantasten van silicium door ammonia wordt onderdrukt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het oxideert het siliciumoppervlak en bedekt het met een dunne oxidefilm, en etst het oppervlak voortdurend licht terwijl direct aantasten van silicium door ammonia wordt onderdrukt

In SC-1 oxideert waterstofperoxide het siliciumoppervlak tot een dunne oxidefilm van circa 1 nm dikte en lost ammonia die oxidefilm langzaam op. Doordat oxidatie en etsen tegelijk verlopen, wordt het oppervlak geleidelijk een beetje weggenomen, waardoor deeltjes van onderaf worden opgetild en verwijderd. Bij te weinig waterstofperoxide etst ammonia silicium rechtstreeks en wordt het oppervlak ruw; de verhouding en temperatuur zijn daarom geoptimaliseerd, en recent wordt verdund om ruwheid te onderdrukken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke methode wordt in het algemeen gebruikt om het aantal deeltjes op het waferoppervlak na reiniging te tellen?
  2. Waarom is het belangrijk om een wafer direct na CMP nat, zonder hem te laten drogen, naar de reinigingsstap te brengen?
  3. Welke uitspraak over aandachtspunten bij batchreiniging, waarbij veel wafers in hetzelfde bad met reinigingsvloeistof worden gewassen, is juist?
  4. Welke reiniging, die wordt onderzocht en toegepast om deeltjes te verwijderen zonder fijne patronen te laten omvallen, blaast fijne deeltjes van onder meer koude kooldioxide of argon op het oppervlak?
  5. Wat is het belangrijkste doel om in de CMP-polijstkop de druk waarmee de wafer wordt aangedrukt per concentrische zone te kunnen variëren?