CMP en reiniging
Welke reden om bij Cu-bedrading-CMP het polijsten gewoonlijk in meerdere stappen uit te voeren is juist?
- AOmdat de geschikte polijstcondities voor Cu en voor de onderliggende barrièremetaal (zoals TaN) verschillen, wordt eerst het grootste deel van Cu verwijderd en daarna de barrièremetaal
- BOm het polijstapparaat te laten rusten
- COm Cu dikker te maken
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Omdat de geschikte polijstcondities voor Cu en voor de onderliggende barrièremetaal (zoals TaN) verschillen, wordt eerst het grootste deel van Cu verwijderd en daarna de barrièremetaal
Bij Cu-bedrading worden achtereenvolgens het dikke Cu buiten de groeven (enkele honderden nm tot 1 µm), daaronder de barrièremetaal van enkele nm (Ta/TaN enz.) en daaronder de isolatiefilm gepolijst. Omdat per materiaal de optimale polijstsnelheid en selectiviteit verschillen, wordt in stappen gepolijst met telkens andere slurry: eerst een stap waarin Cu snel wordt weggenomen (het grootste deel van Cu), dan een stap waarin Cu zorgvuldig wordt weggenomen en gestopt, en tot slot een stap waarin barrièremetaal en een beetje isolatiefilm worden verwijderd en vlak afgewerkt.