Bij voortgezet polijsten bij CMP stijgt de temperatuur van de polijstpad. Welke verandering van de polijstsnelheid is dan in het algemeen juist?

Antwoord: B. De polijstsnelheid neemt gemakkelijk toe doordat bijvoorbeeld chemische reacties sneller verlopen, wat ook een oorzaak van variatie binnen de wafer is

Wanneer de temperatuur van pad en slurry door wrijving tijdens het polijsten met enkele tientallen ℃ stijgt, verlopen de chemische reacties van de slurry sneller (arrheniustype) en neigt de polijstsnelheid toe te nemen. Verschilt de temperatuur tussen het midden en de rand van de wafer, dan varieert ook de polijsthoeveelheid, en verschilt de temperatuur tussen de eerste en latere wafers, dan ontstaat variatie van wafer tot wafer. Daarom worden technieken gebruikt om de padtemperatuur met gas of warmtewisselaars te regelen en worden de condities gecorrigeerd voor temperatuurverandering.