CMP en reiniging

Wat is de belangrijkste oorzaak van fijne krassen (scratches) op het waferoppervlak bij CMP?

  1. AOmdat de polijstdruk 0 was
  2. BOmdat de temperatuur van de reinigingsvloeistof laag is
  3. CGrote, geaggregeerde deeltjes in de slurry en vreemde deeltjes die op de pad zijn achtergebleven
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Grote, geaggregeerde deeltjes in de slurry en vreemde deeltjes die op de pad zijn achtergebleven

Als schuurdeeltjes in de slurry door drogen of veranderingen in temperatuur en pH samenklonteren tot klompen van enkele µm, of als harde vreemde deeltjes of splinters van de diamant van de dresser op de pad achterblijven, krassen deze het waferoppervlak en ontstaan scratches. Ze veroorzaken kortsluiting of onderbreking van koperbedrading, en low-k-films worden bijzonder gemakkelijk beschadigd. Ze worden voorkomen door filtering, circulatie en temperatuurbeheer van de slurry, conditioneren van de pad en optimalisatie van de polijstdruk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke methode verwijdert natuurlijk oxide enz. van het oppervlak zonder vloeistof te gebruiken om het instorten van fijne structuren te voorkomen?
  2. Welke combinatie van processen waarin CMP wordt gebruikt is juist?
  3. Hoe heet het werk waarbij het oppervlak van de CMP-polijstpad met een diamantgereedschap wordt afgeslepen en geconditioneerd om de polijstsnelheid stabiel te houden?
  4. Welke uitspraak over het voordeel van CMP ten opzichte van planarisatie door thermische reflow en etch-back is juist?
  5. Welke combinatie van volgorde en doel van SC-1 en SC-2 bij standaard RCA-reiniging is juist?