Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Welke combinatie van soorten verontreiniging op het waferoppervlak die door reiniging moeten worden verwijderd is juist?

  1. ALicht, geluid en warmte
  2. BElektronen, gaten en door ionenimplantatie ingebrachte onzuiverheden
  3. CDeeltjes, metaalverontreiniging, organische verontreiniging, natuurlijk oxide enz.
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Deeltjes, metaalverontreiniging, organische verontreiniging, natuurlijk oxide enz.

Tot de verontreinigingen die door reiniging worden verwijderd behoren kleine deeltjes, metaalverontreiniging zoals ijzer, koper en natrium, organische stoffen die van resistresten of uit gassen in de lucht komen, ongewenst natuurlijk oxide en microruwheid van het oppervlak. Elk wordt verwijderd door een geschikte chemische oplossing (SC-1, SC-2, SPM, verdund fluorwaterstofzuur enz.) te combineren met fysieke krachten (borstel, megasoon), waarbij tegelijk wordt vereist dat het materiaal niet wordt aangetast.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Wat is de belangrijkste reden dat in processen zoals multilaag-metallisatie het waferoppervlak met CMP vlak moet worden gemaakt?
  2. Welke beschrijving van de basisopbouw van een CMP-apparaat is juist?
  3. Welke reden om bij Cu-bedrading-CMP het polijsten gewoonlijk in meerdere stappen uit te voeren is juist?
  4. Welk verschil tussen harde en zachte pads bij CMP is in het algemeen juist?
  5. Welke toestand is juist voor een siliciumoppervlak dat als laatste met verdund fluorwaterstofzuur is gereinigd?