Nederlands
Menu

CMP en reiniging

Wat moet bij reiniging na CMP vooral worden verwijderd?

  1. ADe fotoresistfilm
  2. BSchuurdeeltjes van de slurry en metaalverontreiniging die op het waferoppervlak zijn achtergebleven
  3. CDe volledige onderliggende oxidefilm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Schuurdeeltjes van de slurry en metaalverontreiniging die op het waferoppervlak zijn achtergebleven

Op het waferoppervlak blijven na CMP schuurdeeltjes van de slurry achter (soms meer dan enkele miljoenen per wafer), polijstresten, metaalionen zoals koper en organische stoffen van corrosie-inhibitors. Deze veroorzaken kortsluiting, corrosie en defecten in de bedrading, en worden verwijderd door scrubben met PVA-borstels (polyvinylalcohol) of reiniging met chemicaliën zoals verdund fluorwaterstofzuur of organische zuren, waarna de wafer wordt drooggespind. CMP en reiniging worden in één apparaat uitgevoerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welk voordeel van een single-waferreinigingsapparaat dat wafers een voor een behandelt is juist?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van IPA (isopropylalcohol) bij het drogen van wafers na reiniging?
  3. Welke methode wordt gebruikt om het eindpunt van het polijsten bij CMP te detecteren?
  4. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?
  5. Welk schuurdeeltje wordt bij het CMP van STI-vorming vaak gebruikt om de polijstselectiviteit van oxide ten opzichte van siliciumnitride hoog te maken?