CMP en reiniging

Welke methode wordt gebruikt om het eindpunt van het polijsten bij CMP te detecteren?

  1. ADe wafer wegen na het polijsten
  2. BVeranderingen in wrijving (zoals het motorkoppel) of in lichtreflectie tijdens het polijsten bewaken
  3. CDe kleur van de slurry visueel controleren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Veranderingen in wrijving (zoals het motorkoppel) of in lichtreflectie tijdens het polijsten bewaken

Wanneer de te polijsten film verdwenen is en de onderliggende laag zichtbaar wordt, veranderen door het verschil in materiaal de wrijving en de lichtreflectie van het oppervlak. CMP-apparaten bewaken het koppel (de stroom) van de motor die de polijsttafel aandrijft en het reflectiespectrum van licht dat door een venster in de tafel op de wafer valt, en detecteren zo in real time het eindpunt. Met optische methoden kan ook de resterende laagdikte worden geschat, en ook methoden die de dikte van een metaalfilm meten met een wervelstroomsensor worden gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over CMP en reiniging

  1. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?
  2. Welk schuurdeeltje wordt bij het CMP van STI-vorming vaak gebruikt om de polijstselectiviteit van oxide ten opzichte van siliciumnitride hoog te maken?
  3. Welke reinigingsmethode voegt ultrageluid in het MHz-gebied toe aan de reinigingsvloeistof om kleine deeltjes van het waferoppervlak te verwijderen?
  4. Wat is het belangrijkste doel van reiniging met ultrazuiver water waarin ozon is opgelost (ozonwater)?
  5. Welke uitspraak over de rol van benzotriazool (BTA) en dergelijke stoffen die aan de slurry voor Cu-bedrading-CMP worden toegevoegd is juist?